應用注釋
工藝技術
石英晶體表面，當作用于機械力時，其產生表面電荷，這個現象為壓電效應。當用電極作用時，產生壓電響應，可以表示為如圖的等效電路。見圖1.(figure 1)
?■ 振動模式
振動模式有AT切割方式，為基頻或諧波第三、第四~第九等泛音模式等。
?■ 調整頻差（25℃）
調整頻差指（25℃）最低和最高允許偏離目標值的偏差，通常用±ppm百萬分之一表示。
?■ 溫度頻差（25℃）
頻率穩定度的頻率偏移量，在工作溫度范圍內發生了偏差，如負載規定的工作條件、頻率電容和驅動電平等，溫度是對晶體頻率產生的影響程度。
■ 等效電阻
等效電阻是晶體電路內的共振現象體現的電阻，ESR的公式為Equation (1)
?■ 靜態電容
靜態電容（并聯電容C0）是晶體兩端并聯電容。一般表貼較小為4pf典型值，其他為6.0pf。
?■ 負載電容
負載電容是與晶體器件、制造商可以確定的負載諧振頻率fL的有效外接電容。如f 30，為晶體的諧振頻率與30 pf的電容匹配。
?■ 動態電容
動態電容（串聯電容C1）是等效電路中動態（串聯）臂的電容。主要由電極大小 和形狀決定設計參數，其最大和最小值，C1可以物理設計限制，從而相對對振動 模式和標稱頻率的限制，L1通常不定的，其計算公式為：
■ 儲存溫度范圍
儲存溫度范圍是晶體環境的最低和最高溫度下，器件應無性能退化或損壞的極限。
?■ 負載電容的頻率牽引靈敏度
頻率的變化，牽引使其負載電容有相應的變化，頻率牽引靈敏度是靜態電容C0）和動態電容C1的函數。感應諧振電路中，諧振的變化發生相應的頻率變化，從而改變晶體牽引度的變化，見圖2(figure 2).
其計算公式為：
同樣的晶體在三次泛音模式下，將大大減少動態電容，C1大約為1/9的基頻。
■ 寄生波
通常不希望操作模式中發生寄生波振蕩，特別是在最大
分貝或數倍的等效電阻時。在頻率范圍內，通常振蕩響應中，有必要控制寄生波振蕩，見圖3(figure 3)。晶體電極的設計的偏大，可能產生寄生波振蕩，一般2：1或3分貝的電阻配置，是可以滿足要求。■ 老化
老化是晶體器件在工作頻率超過一定的時間會產生變化。通常每年以ppm表示最大值，典型的以± 5ppm的每年最高值表示。
?■ 激勵電平相關性
DLD激勵電平相關性是指晶體器件的諧振電阻隨激勵電平條件的改變而變化的效應。以激勵電平與對應的電阻之比來確定。通常額定功率下的電阻為用戶定義范圍。其相關性反應晶體內部的潔凈度。
?■ 晶體振蕩器
晶體振蕩器是一個定時裝置和振蕩電路組成，輸出特定的頻率波形。將晶體振蕩器接入放大電路中，小的能量大量反饋到晶體，產生振蕩，其振蕩電路起到穩定頻率的作用。見圖4（figure 4） ?
■ 輸入電流
輸入電流（ICC）指不帶負載時，測量端與接地的電流。
■ 輸入電壓
輸入電壓（VDC）指測量端與接地的安全電壓。
■
對稱性（占空比）
對稱性是指邏輯電平“1”的狀態下，以測量時間對稱的輸出波形，周期以百分比表示。典型對稱偏差40/60%, 嚴謹的對稱偏差45/55%。
■ 上升和下降時間
上升時間為邏輯輸出“0”~“1”電平變化過程的時間。下降時間為邏輯輸出“1”~“0”電平變化過程的時間。上升和下降時間為最大過程時間，以納秒(ns)計量。見圖5（figure 5）
■ 輸出負載
輸出負載是驅動振蕩輸出的最大負載。輸出負載 是確定的數值，典型的負載電路或門電路。HCMOS 負載通常為電容負載。TTL負載為門電路數。
■ 啟動時間
啟動時間就是延時時間，振蕩啟動直到振幅功率的完 全輸出。啟動時間的改變從微妙到毫秒，取決于頻率。專 用集成電路的速度和邏輯。見圖6（figure 6.）
■ 電壓控制晶體振蕩器
VCXO是晶體振蕩器，用戶可以改變電壓來控制輸出 頻率。引腳1。
■ 溫度補償晶體振蕩器
TCXO是晶體振蕩器，用網絡溫度補償。典型的晶體振蕩 器的頻差能夠用±0.5ppm~±5.0ppm進行補償，TCXO網絡包括了一個微調電容，可以進行補償振蕩器的老化漂移和調整振蕩器的頻率精度。
■ 三態
用于三態的振蕩器，允許輸出置于高阻抗狀態，無振蕩輸出。此功能激活的邏輯控制電壓端為振蕩器引線1
■ 陶瓷諧振器
陶瓷諧振器是介于石英晶體振蕩器與LC/RC電路振蕩器精度之間，陶瓷諧振器機械共振取決于壓電晶體的結構。這些材料（通常是鈦酸鋇或鉛鋯、鈦酸）具有較大的電極耦合作用，因外加電場可使晶體的振蕩產生失真。
■ 頻率穩定度
超過25℃以上允許的最大頻率偏差，即（-20℃ to +80℃.）典型測量頻率穩定性為±0.3%(±3000ppm)。
■ 調整頻差
在室溫下標稱頻率允許發生的偏差。
■ 等效電路
■ 濾波器
■ 單片濾波器
■ 通帶寬度
■ 阻帶寬度
頻率通帶是指衰減量等于或大于對應的衰減dB數（最大值）。
■ 紋波
■ 終端阻抗
■ 雜散響應
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